明場(chǎng)與暗場(chǎng) 要解釋清楚明場(chǎng)檢測(cè)與暗場(chǎng)檢測(cè)，首先就要弄明白明場(chǎng)與暗場(chǎng)的區(qū)別。明場(chǎng)與暗場(chǎng)多少有點(diǎn)專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)（黑話）的感覺(jué)，通俗點(diǎn)兒講，所謂明場(chǎng)，可以簡(jiǎn)單的理解為背景是亮的缺陷是暗的；暗場(chǎng)則相反，背景是暗的缺陷是亮的。 明場(chǎng)檢測(cè)與暗場(chǎng)檢測(cè) 在半導(dǎo)體晶圓制造環(huán)節(jié)中，為提高產(chǎn)品良率、降低生產(chǎn)成本、推進(jìn)工藝迭代，對(duì)晶圓制造過(guò)程中缺陷的檢測(cè)至關(guān)重要。根據(jù)檢測(cè)技術(shù)的不同，缺陷檢測(cè)可分為電子束檢測(cè)、光學(xué)檢測(cè)以及X光量測(cè)三種。 再根據(jù)光源方式、成像原理的差...

晶圓的概念 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。 晶圓的制造過(guò)程 晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料，半導(dǎo)體集成電路最主要的原料是硅，因此對(duì)應(yīng)的就是硅晶圓。 硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生...

機(jī)器視覺(jué)設(shè)備助力高端制造行業(yè) 在現(xiàn)代芯片制造中，機(jī)器視覺(jué)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。既提高了芯片制造產(chǎn)線的生產(chǎn)效率，同時(shí)確保納米級(jí)別芯片的產(chǎn)品擁有高質(zhì)量與產(chǎn)品一致性。我們將通過(guò)五個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景，深入剖析機(jī)器視覺(jué)技術(shù)是如何幫助芯片制造行業(yè)提高產(chǎn)線工藝水平，提升芯片質(zhì)量。 01晶圓檢測(cè) 晶圓檢測(cè)是芯片制造過(guò)程中重要的環(huán)節(jié)。機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)常被用于晶圓的微小缺陷和污染物的檢測(cè)。在精密的晶圓檢測(cè)環(huán)節(jié)，是不能單純依賴(lài)人眼檢測(cè)表面缺陷，不僅耗時(shí)長(zhǎng)且容易出現(xiàn)漏...

掩膜版：電子制造之底片，晶圓光刻之藍(lán)本。 掩膜版是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移母版，按照制造材料可以分為石英掩膜版、蘇打掩膜版和其他（菲林、凸版、干版），按照下游應(yīng)用領(lǐng)域可以主要分為平板顯示掩膜版、半導(dǎo)體掩膜版、觸控掩膜版、電路板掩膜版。掩模版對(duì)于光刻工藝的重要性不弱于光刻機(jī)、光刻膠。在集成電路領(lǐng)域，光掩模的功能類(lèi)似于傳統(tǒng)相機(jī)的“底片”，在光刻機(jī)、光刻膠的配合下，將光掩模上已設(shè)計(jì)好的圖案，通過(guò)曝光和顯影等工序轉(zhuǎn)移到襯底的光刻膠上，進(jìn)行圖像復(fù)制，從而實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。...

光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)，光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平...... 光刻概念 光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。 一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯...

Q1：晶圓表面瑕疵是怎么產(chǎn)生的？ 晶圓經(jīng)過(guò)一系列制造加工工藝后，會(huì)不可避免的在其表面相應(yīng)層中引入諸如：顆粒異物、劃痕、缺失等缺陷，也有本身材質(zhì)存在的缺陷。顆粒是可能引入的工序有刻蝕、拋光、清洗等。冗余物缺陷主要來(lái)自于生產(chǎn)加工中晶圓表面的灰塵、空氣純凈度未到達(dá)標(biāo)準(zhǔn)以及加工過(guò)程中化學(xué)試劑等。 Q2晶圓表面缺陷會(huì)造成什么影響？ 顆粒異物在光刻時(shí)會(huì)遮擋光線，造成集成電路結(jié)構(gòu)上的缺陷，污染物可能會(huì)附著在晶圓表面，造成圖案的不完整，影響芯片的電氣特...