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封裝及Bonding
新聞詳情

電子封裝用陶瓷基板材料及其制程工藝

發(fā)布時間:2022-09-07 17:04:08 最后更新:2022-09-07 17:31:39 瀏覽次數(shù):1416


        陶瓷基板由于其良好的導熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低,在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、LD(激光二極管)、大功率LED(發(fā)光二極管)、CPV(聚焦型光伏)封裝中的應用越來越廣泛。

 

 


       陶瓷基片主要包括氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)和氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)。與其他陶瓷材料相比,Si3N4陶瓷基片具有很高的電絕緣性能和化學穩(wěn)定性,熱穩(wěn)定性好,機械強度大,可用于制造高集成度大規(guī)模集成電路板。



幾種陶瓷基片材料性能比較


       從結構與制造工藝而言,陶瓷基板又可分為HTCC、LTCC、TFC、DBC、DPC等。

 


陶瓷基板的特點

 

 

       陶瓷基板,是以電子陶瓷為基礎,對電路元件及外貼切元件形成一個支撐底座的片狀材料。陶瓷基片具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、熱導率大、化學穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等主要優(yōu)點。

 


陶瓷基板的種類

 

 

A: 96/99氧化鋁陶瓷基片:應用范圍最廣。
B:氮化鋁陶瓷基片:導熱系數(shù)高,無毒,可代替BeO陶瓷基片。
C:氮化硅陶瓷基片:強度高,雖導熱系數(shù)比不上氮化鋁陶瓷,但可以通過減小厚度來減小熱阻。
D: BeO陶瓷基片:迄今為止最好的絕緣性陶瓷,但加工時產(chǎn)生的粉末會對人體產(chǎn)生毒害作用。
E:滑石瓷:高頻性能好,成本低。
F:鐵氧體陶瓷片:可以減小電路體積,用于制作射頻微帶線及濾波電路。
G:超大規(guī)格陶瓷片

H:拋光類陶瓷基片,可進行單、雙面拋光加工,表面光潔度經(jīng)拋光處理后達到Ra:0.03-0.05μm,無孔洞現(xiàn)象,產(chǎn)品適合體積小、精度高、布線密度高。

 


高溫共燒多層陶瓷基板(HTCC)

 

 

       HTCC,又稱高溫共燒多層陶瓷基板。制備過程中先將陶瓷粉(Al2O3或AlN)加入有機黏結劑,混合均勻后成為膏狀漿料,接著利用刮刀將漿料刮成片狀,再通過干燥工藝使片狀漿料形成生坯;然后依據(jù)各層的設計鉆導通孔,采用絲網(wǎng)印刷金屬漿料進行布線和填孔,最后將各生坯層疊加,置于高溫爐(1600℃)中燒結而成。此制備過程因為燒結溫度較高,導致金屬導體材料的選擇受限(主要為熔點較高但導電性較差的鎢、鉬、錳等金屬),制作成本高,熱導率一般在20~200W/(m·℃)。

 


低溫共燒陶瓷基板(LTCC)

 

 

      LTCC,又稱低溫共燒陶瓷基板,其制備工藝與HTCC類似,只是在Al2O3粉中混入質(zhì)量分數(shù)30%~50%的低熔點玻璃料,使燒結溫度降低至850~900℃,因此可以采用導電率較好的金、銀作為電極材料和布線材料。因為LTCC采用絲網(wǎng)印刷技術制作金屬線路,有可能因張網(wǎng)問題造成對位誤差;而且多層陶瓷疊壓燒結時還存在收縮比例差異問題,影響成品率。為了提高LTCC導熱性能,可在貼片區(qū)增加導熱孔或?qū)щ娍?,但成本增加?/p>

 


厚膜陶瓷基板(TFC)

 

 

      相對于LTCC和HTCC,TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網(wǎng)印刷技術將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面,經(jīng)過干燥、高溫燒結(700~800℃)后制備。金屬漿料一般由金屬粉末、有機樹脂和玻璃等組分。經(jīng)高溫燒結,樹脂粘合劑被燃燒掉,剩下的幾乎都是純金屬,由于玻璃質(zhì)粘合作用在陶瓷基板表面。燒結后的金屬層厚度為10~20μm,最小線寬為0.3mm。由于技術成熟,工藝簡單,成本較低,TFC在對圖形精度要求不高的電子封裝中得到一定應用。

 


直接鍵合銅陶瓷基板(DBC)


       由陶瓷基片與銅箔在高溫下(1065℃)共晶燒結而成,最后根據(jù)布線要求,以刻蝕方式形成線路。由于銅箔具有良好的導電、導熱能力,而氧化鋁能有效控制 Cu-Al2O3-Cu復合體的膨脹,使DBC基板具有近似氧化鋁的熱膨脹系數(shù)。

 

 

DBC基板制備工藝流程

 

       DBC具有導熱性好、絕緣性強、可靠性高等優(yōu)點,已廣泛應用于IGBT、LD和CPV 封裝。DBC缺點在于,其利用了高溫下Cu與Al2O3間的共晶反應,對設備和工藝控制要求較高,基板成本較高;由于Al2O3與Cu層間容易產(chǎn)生微氣孔,降低了產(chǎn)品抗熱沖擊性;由于銅箔在高溫下容易翹曲變形,因此DBC表面銅箔厚度一般大于100m;同時由于采用化學腐蝕工藝,DBC基板圖形的最小線寬一般大于100m。

 


直接鍍銅陶瓷基板(DPC)


        其制作首先將陶瓷基片進行前處理清洗,利用真空濺射方式在基片表面沉積Ti/Cu層作為種子層,接著以光刻、顯影、刻蝕工藝完成線路制作,最后再以電鍍/化學鍍方式增加線路厚度,待光刻膠去除后完成基板制作。

 

 

DPC基板制備工藝流程

 

       DPC技術具有如下優(yōu)點:低溫工藝(300℃以下),完全避免了高溫對材料或線路結構的不利影響,也降低了制造工藝成本;采用薄膜與光刻顯影技術,使基板上的金屬線路更加精細,因此DPC基板非常適合對準精度要求較高的電子器件封裝。但DPC基板也存在一些不足:電鍍沉積銅層厚度有,且電鍍廢液污染大;金屬層與陶瓷間的結合強度較低,產(chǎn)品應用時可靠性較低。

 

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