目前手機(jī)顯示主要采用COG技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動芯片的封裝。18:9顯示屏仍然可以采 用COG工藝，但是未來幾年隨著全面屏從18:9向19:9甚至20:9演進(jìn)，COG將越發(fā)力不從心。而采用COF的全面屏，其下端邊框可能縮小至3.6mm的距離甚至更小，因此COF將滿足更高屏占比的需求。

       對于全面屏而言，最佳的方式是基于COF工藝（即觸控IC固定于FPC軟板上）， 相比于COG可以進(jìn)一步提升顯示面積。根據(jù)臺灣工研院的研究數(shù)據(jù)，盡管采用 COF的1:6 MUX TDDI方案比采用COG的1:3 MUX TDDI的成本上升6.5-9.5美元， 但是下邊框尺寸極限可以由3.4-3.5mm縮減至2.3-2.5mm。

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       其次，在芯片封裝方面，目前 COF 產(chǎn)能主要集中在中大尺寸，COG 集中在中小尺寸。要做全面屏模組廠需要重新投資中小尺寸的 COF bonding，產(chǎn)能缺口較大。同時，COF 封裝需要超細(xì)FPC 和高要 求的 bonding 工藝，成本也比 COG 要高。根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研情況，COF 單價比 COG 單價要高出 9 美金左右。 其中，全球 COF 制造企業(yè)能量產(chǎn) 10 微米等級的制造商，并且形成規(guī)?；a(chǎn)的主要為中國大陸以外的 5 家企業(yè)，分別為韓國的 Stemco 和 LGIT、臺灣的欣邦和易華以及日本的新藤電子，Stemco、LGIT 和新藤電子能做雙面超細(xì) COF 基板，欣邦和易華是單面的產(chǎn)能。

       根據(jù)日本廠商目前可以做到的極限，使用 COF 下邊框可以做到 2.5mm 以內(nèi)，不過成本要比 COG 高出 9 美金左右，采用異形切割、 調(diào)整背光模組之后成本將會更高。其實，COG 經(jīng)過優(yōu)化下邊框也能做窄，面對產(chǎn)能的限制、高昂的成本，手機(jī)品牌廠商真愿意為幾毫米左 右的窄邊框優(yōu)勢選擇COF、進(jìn)行異形切割設(shè)備投資、調(diào)整背光模組么？

        我們認(rèn)為國產(chǎn)廠商更多的是采取一種折中方案，使用 COG 封裝，將下邊框做到 9mm 以下，最主要的是在整機(jī)尺寸不變的情況 下將之前的 5.2/5.5 寸屏升級為 5.7/6 寸，推出“低配版”全面屏。而 蘋果等高端品牌機(jī)型的屏幕變革將進(jìn)行的更加徹底一些，采用 COF 封裝、增加異形切割工序等，努力將下邊框收窄至 5mm以下，這也是全面屏技術(shù)的長期選擇。

COF相比COG是更優(yōu)的解決方案

       COF可以縮小下邊框的長度，符合全面屏發(fā)展趨勢。COF全稱為Chip On FPC 或Chip On Film，中文為柔性基板上的芯片技術(shù)，與COG不同之處為，COF將芯片 直接封裝到FPC上，由于FPC可以自由彎曲，因此可以將其折到玻璃背面，從而實 現(xiàn)縮小下邊框的目的。與COG相比，其可以縮小邊框大約1.5mm。

       具體工藝上，COF分單層COF和雙層COF。從整個生產(chǎn)上考量，單層COF和雙 層COF兩者均有其優(yōu)點和缺點。簡單來看，單層COF好處是價格便宜，一般比雙層 便宜5倍，但缺點是需要極高的精準(zhǔn)設(shè)備，一般機(jī)臺無法達(dá)到COF的要求。雙層COF 好處是可以達(dá)到更高的解析度，其缺點是需要打兩層COF，成本高昂，需要更多的 Bonding設(shè)備。

       MOB和MOC芯片封裝技術(shù)：在封裝環(huán)節(jié)推動前置CCM小型化，有望加速滲透 新型MOB和MOC封裝技術(shù)相比傳統(tǒng)的COB等封裝方式能夠減小模組尺寸。目前攝像頭芯片封裝有CSP（Chip Size Package）、COB（Chip On Board）、COF （Chip On FPC）和FC（Flip Chip）技術(shù)四種，隨著手機(jī)攝像頭像素越來越高，主要用于800萬像素以下的CSP技術(shù)地位下降，能夠?qū)崿F(xiàn)更高圖像質(zhì)量的COB、COF/FC更受青睞。采用FC封裝得到的模組會薄1mm，但成本也較高。但在全面屏趨勢下，需要有新的技術(shù)將攝像頭模組做的更小。

       在傳統(tǒng)的COB封裝中，線路板上安裝了感光芯片、連接線和電路器件（如電容、 電阻等），同時用一個底座（通常是一個塑料支架）粘貼于線路板上。芯片和電路器件都是裸露在空間中的，底座沒有將芯片和電路元件包覆在內(nèi)。 而在新型的MOB（Molding On Board）封裝技術(shù)中，線路板部分包含線路板主 體和封裝部，封裝部通過模塑的方式與線路板一體化連接，取代了COB封裝技術(shù)中 的塑料底座。

       MOB中線路板上依然有感光芯片、連接線和電路元件，不同于COB技術(shù)，MOB中封裝部同時將電路元件（電容、電阻等）包覆在內(nèi)，一方面防止電路器 件上的灰塵雜物污染芯片，另一方面增加了封裝部向內(nèi)設(shè)置的空間，從而減小攝像 頭模組的寬度。在更進(jìn)一步的MOC（Molding On Chip）封裝技術(shù)中，封裝部不僅將電路元件 包覆在內(nèi)，還將連接線也包覆在內(nèi)，并與一部分芯片連接。因此封裝部向內(nèi)設(shè)置的空間更大，從而攝像頭模組寬度減小的空間也更大。

       COF方案所用的FPC主要采用聚酰亞胺（PI膜）混合物材料，厚度僅為50-100um，線寬線距在20um以下，所以在FPC生產(chǎn)過程中要采用半加成，或者加成法工藝。目前COF 封裝用的FPC主要是臺系廠商供貨，如易華電等。而國內(nèi)廠商如景旺電子，合力泰子公司藍(lán)沛也有相關(guān)技術(shù)積累，后續(xù)有望受益于COF方案的進(jìn)一步推廣。 COF封裝則是采用自動化的卷對卷設(shè)備生產(chǎn)。

        上圖是典型的COF卷對卷生產(chǎn)流程示意圖，產(chǎn)線左右兩邊都是PI膜卷，PI膜通過自動封裝機(jī)臺從左往右傳輸，自動封裝機(jī) 臺下方會被持續(xù)加熱至400攝氏度。芯片被壓放在PI膜上之后，芯片下方的金球會和PI 膜中的引線鍵合，這一過程被稱為內(nèi)側(cè)引線鍵合（ILB，Inner Lead Bonding），隨后芯片會通過環(huán)氧樹脂封裝起來（Sealing Resin流程），并涂上阻焊層（Solder）進(jìn)一 步保護(hù)IC，后續(xù)將其他周邊元器件也通過ILB鍵合并封裝在PI膜上。經(jīng)過這一流程COF就生產(chǎn)完成了。由于COF卷對卷生產(chǎn)過程中需要加熱，而PI膜的熱膨脹系數(shù)為16um/m/C， 相比芯片的2.49 um/m/C而言，較為不穩(wěn)定，所以對設(shè)備精度要求很高。

       總體來說，隨著手機(jī)顯示屏分辨率需求的不斷提升，在有限的顯示區(qū)域內(nèi)，COF封裝技術(shù)面臨著凸點節(jié)距變小、密度變高等技術(shù)難點與問題。不過OLED顯示屏與LCD(液晶顯示屏)在COF封裝的實現(xiàn)工藝上有所不同，各廠商目前的設(shè)備精度與技術(shù)能力都很難以良好的可靠性和較高的良率來采用1-Layer COF來實現(xiàn)FHD規(guī)格以上的OLED顯示屏，目前各家廠商都正積極研發(fā)解決方案，希望將來能將技術(shù)廣泛應(yīng)用于各種OLED面板設(shè)計。