1.晶圓缺陷粒子檢測系統(tǒng)

顆粒和缺陷：顆粒和缺陷導(dǎo)致晶圓表面不規(guī)則形貌。

散射入射光：通過檢測散射光來監(jiān)測顆粒和缺陷。

晶圓缺陷檢測系統(tǒng)可以通過獲取缺陷的（X，Y）坐標來檢測晶圓上的物理缺陷（顆粒）和圖案缺陷并繪制map,這些顆?？梢越柚馍⑸洮F(xiàn)象來檢測：

1）激光束在橢圓鏡的一個焦點處垂直掃描晶圓表面，光電探測器放置在另一焦點處;

2）移動晶圓，收集散射光以檢測微小顆粒和缺陷;

3）繪制晶圓表面上的顆粒/缺陷位置圖。

→一般由一種使用粒子計數(shù)器測量粒子的設(shè)備。

缺陷可分為隨機缺陷和系統(tǒng)缺陷。

→隨機缺陷主要是由附著在晶圓上的顆粒引起的，因此無法預(yù)測其位置。

一般來說，系統(tǒng)性缺陷出現(xiàn)在mask狀況和曝光過程中。因此，它發(fā)生在所有接收光刻芯片的電路pattern中的同一位置。

2.明場成像/暗場成像

暗場法是一種使用散射光的測量方法。當光線照射到某個物體時，它會引起散射和反射，可以說它是一種利用這種散射光快速確定結(jié)構(gòu)存在與否的方法。該結(jié)構(gòu)在透鏡的視角（FOV）之外（主要在0~45度之間）安裝激光源，當光線照射時，散射光進入透鏡并識別物體。結(jié)構(gòu)變亮，不存在的部分顯得很暗。當然，分辨率低于反射（Bright）類型，因為使用了散射光，但是可以快速拾取圖案邊緣的形狀，因此Fab里主要用暗場而不是明場。暗場中使用的光源使用波長比亮波長長的紫外線。

明場法是一種使用反射光的測量方法。該結(jié)構(gòu)是一種在微透鏡視角下創(chuàng)建和照射激光源的方法。然后，它接收反射光，反射光是明亮的，如果有結(jié)構(gòu)，它就會被散射，所以結(jié)構(gòu)顯得黑暗。使用短波長的DUV作為光源，分辨率好，但通放不如暗場，因此用于具有精細圖案的晶圓的檢查。

→結(jié)論:明場成像用于精確檢查缺陷。此外，暗場成像可以高速檢測，用于大量晶圓的缺陷測試。

根據(jù)透鏡系統(tǒng)的位置，分為直接檢測散射光的暗場成像和檢測反射光強度損失的明場成像，如下圖所示：

3.圖案化晶圓檢測系統(tǒng)

圖案化晶圓檢測系統(tǒng)可以通過將缺陷與相鄰器件的圖案圖像進行比較來檢測缺陷。

→相同的器件圖案是在半導(dǎo)體晶圓的頂部制造的。隨機缺陷由塵埃顆粒產(chǎn)生，并發(fā)生在隨機位置。因此，在特定位置重復(fù)表現(xiàn)的可能性幾乎不大。因此，如果將其與附近器件的圖案圖像進行比較，則可以檢測到缺陷。

晶圓圖案通過電子束或光沿著芯片陣列捕獲。

→通過將要檢查的器件的圖案圖像與附近的器件進行比較來檢測缺陷。

如果沒有缺陷，則從要通過數(shù)字處理檢查的器件圖像中減去附近的芯片圖像的結(jié)果變?yōu)?，并且沒有檢測到缺陷。

相反，如果存在缺陷，則會在差異圖像中留下缺陷，如上圖所示。因此，檢測到缺陷并將缺陷的位置標記為坐標。有了這些坐標信息，就能形成缺陷映射。

圖案化晶圓檢測使用明場成像、暗場成像或兩者的組合進行缺陷檢測。

使用這種方法進行晶圓檢測是一個非常緩慢的過程。