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全幀(Full-Frame)CCD
半導(dǎo)體區(qū)域既可以作為光電元件,也可以作為電荷轉(zhuǎn)移器件,這正是FF CCD中發(fā)生的事情。在集成過(guò)程中,像素位置響應(yīng)入射光子積累電荷,在集成之后,電荷包垂直地通過(guò)像素位置向水平移位寄存器移動(dòng)。一般情況下,通過(guò)應(yīng)用精心定時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)獲得CCD像素?cái)?shù)據(jù),這些時(shí)鐘信號(hào)依次在器件的電荷傳輸結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生電位阱和電位屏障。在全幀CCD中,需要能夠?qū)⑦@些控制電壓應(yīng)用到同樣起光電探測(cè)器作用的區(qū)域,因此,柵極電極由透明多晶硅制成。
全幀CCD相對(duì)而言比較簡(jiǎn)單且易于制造,并且它們?cè)试S整個(gè)CCD表面具有光敏性。這使硅的給定區(qū)域中可以包含的像素?cái)?shù)量最大化,同時(shí)也使每個(gè)像素中實(shí)際上能夠?qū)⒐庾愚D(zhuǎn)換為電子的部分最大化。然而,一個(gè)主要的限制是需要一個(gè)機(jī)械快門(mén)(或一個(gè)同步的、短時(shí)間的光源稱(chēng)為頻閃)。CCD的光激活區(qū)并不會(huì)因?yàn)槟阋呀?jīng)決定是時(shí)候執(zhí)行讀出而停止光激活。如果沒(méi)有在曝光周期完成后阻擋入射光的機(jī)械快門(mén),則在(有意)集成期間生成的電荷包將被讀出期間到達(dá)的光損壞,全幀CCD的基本架構(gòu)如下圖所示。
幀傳輸(Frame-Transfer)CCD
一般來(lái)說(shuō),研發(fā)人員更喜歡用電子方式控制曝光,快門(mén)(像任何其他快速移動(dòng)的高精度機(jī)械設(shè)備一樣)使設(shè)計(jì)更加復(fù)雜,最終產(chǎn)品更加昂貴,整個(gè)系統(tǒng)更容易出現(xiàn)故障。在電池供電的應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)物理物體所需的額外能量也是不可取的。FT-CCD允許我們保持FF-CCD的一些優(yōu)點(diǎn),同時(shí)(幾乎)不需要快門(mén)。這是通過(guò)將FF CCD分成兩個(gè)大小相等的部分來(lái)實(shí)現(xiàn)的。其中一個(gè)部分是普通的光敏成像陣列,另一個(gè)部分是屏蔽入射光的存儲(chǔ)陣列,如下圖所示。
在集成之后,用于所有像素的電荷包被快速地傳輸?shù)酱鎯?chǔ)陣列,然后在存儲(chǔ)陣列中發(fā)生讀出。當(dāng)讀取存儲(chǔ)位置時(shí),活動(dòng)像素可以為下一圖像累積電荷,這使得幀傳輸CCD能夠獲得比全幀CCD更高的幀速率。說(shuō)FT架構(gòu)幾乎消除了快門(mén),因?yàn)闊o(wú)快門(mén)設(shè)計(jì)會(huì)遇到一個(gè)稱(chēng)為垂直涂抹的問(wèn)題。電荷包從活動(dòng)像素到存儲(chǔ)位置的傳輸很快,但不是瞬間發(fā)生的,因此在垂直傳輸期間到達(dá)傳感器的光可以改變圖像信息。FT架構(gòu)的主要缺點(diǎn)是成本較高,并且相對(duì)于圖像質(zhì)量而言面積增大,因?yàn)榛旧鲜鞘褂?/span>FF傳感器,然后將像素?cái)?shù)減少兩倍。
線(xiàn)間傳輸(Interline-Transfer)CCD
研發(fā)人員需要的最后一個(gè)主要的架構(gòu)改進(jìn)是將集成電荷快速轉(zhuǎn)移到存儲(chǔ)區(qū)域,從而將污跡降低到可以忽略的程度。線(xiàn)間傳輸CCD通過(guò)提供與每個(gè)光活動(dòng)位置相鄰的存儲(chǔ)(和傳輸)區(qū)域的網(wǎng)絡(luò)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。曝光完成后,傳感器中的每個(gè)電荷包同時(shí)傳輸?shù)椒枪饷舸怪币莆患拇嫫髦?。因此,它?/span>CCD能夠以最小的拖影實(shí)現(xiàn)電子快門(mén),并且像FT-ccd一樣,它們可以在讀出期間集成,從而保持較高的幀速率能力。然而,如果光生電荷在讀出過(guò)程中從光活性柱泄漏到相鄰的垂直移位寄存器中,則可能發(fā)生一些涂抹。如果應(yīng)用程序不需要高幀速率,則可以通過(guò)延遲積分直到讀出完成來(lái)消除此問(wèn)題。
線(xiàn)間CCD不需要幀傳輸CCD中使用的大存儲(chǔ)部分,但它們引入了一個(gè)新的缺點(diǎn):傳感器成為將光子轉(zhuǎn)換為電子的效率較低的手段,因?yàn)槊總€(gè)像素位置現(xiàn)在都由光電二極管和垂直移位寄存器的一部分組成。換言之,部分像素對(duì)光不敏感,因此相對(duì)于落在像素區(qū)域上的光的量產(chǎn)生較少的電荷。這種靈敏度的損失通過(guò)在傳感器上添加將入射光集中到每個(gè)像素的光活動(dòng)區(qū)域的微小透鏡而大大減輕,但是這些“微透鏡”有其自身的一系列困難。在行間傳輸架構(gòu)中,存儲(chǔ)(和垂直傳輸)區(qū)域位于光活性柱之間,如下圖所示。
結(jié)論
全幀CCD可能看起來(lái)是最“原始”的類(lèi)型,但它們?nèi)匀皇遣恍枰邘俾实南到y(tǒng)中的首選,并且可以容忍閃光燈或機(jī)械快門(mén)的使用。幀傳輸CCD和線(xiàn)間傳輸CCD具有更多的用途,在某些應(yīng)用中具有關(guān)鍵的優(yōu)勢(shì)。
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